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TH530-25100A 半导体器件雪崩能量测试仪

TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS (EAS)、EAR参数测量问题的解决方案。
主要用于测量MOSFET 、IGBT 、Diode和双极性器件(带钳位)的雪崩击穿特性(电压、能量等)。通过给被测器件施加可控制的感性能量,判断出被测器件是否能正常吸收和承受电感释放的能量。经过雪崩测试的器件,就可安全地用于有反向电动势的感性负载上。

TH530-25100A 半导体器件雪崩能量测试仪

产品概述
性能特点

■ 单通道和双通道 N/P或组合器件测试   (MOSFET、IGBT以及二极管) 

■ 可测试高达2500V雪崩电压、200A峰值电流等级设备 

■ 支持单脉冲雪崩测试(EAS)、重复雪崩能量测试(EAR)、 重复脉冲至失效测试(RPF) 

■ 高速校准DAC可提升测试精度 

■ 用户可调节的电源电压(10V至150V)稳定可靠 

■ 漏极、源极接触检查电路可检测20Ω以下的接触电阻,提 供报错提示(LED) 

■ 可设栅极驱动电压(最大电压差:30V,最大电压值:28V)适 应不同被测件所需 

■ 可在雪崩前、雪崩后进行可调值的泄漏测试、以确定被测 件当前状态 

■ 高速固态开关、带故障检测功能 

■ 高精度的电流和电压波形捕捉以及雪崩持续时间捕捉 

■  7寸24位色TF LCD电容式触摸屏,中英文可选操作界面, 用于单机操作、输入测试规格以及提供测试数据显示。 

■ 提供指令用于用户将屏幕信息存储于U盘 

■ 仪器有开机自检和在线自检功能、为用户排查仪器内部故 障问题 

■ 配备简单自动校准程序,用户可现场进行校准 

■ 配备多种接口:用于远程测试控制的GPIB接口、前后面板各配备一个的高速串行接口、支持高速传输数据的LAN 口。 LAN口不仅可用于远程测试控制,在用户需要观测即时 测试波形时,可使用 LAN口搭配上位机程序查看每一一次 的波形数据

■ 可与TH530-01 可编程电感负载箱(0.01 至159.9mH)或外部电感器配合使用 

■ 可外接示波器触发器输出,同步可视化雪崩测试过程,用 于准确测量雪崩时间

快速选型

型号

TH530-25100A

TH530-25100B

TH530-25200A

TH530-25200B

雪崩电压

2500V




峰值电流

100A


200A


通道数

1

2

1

2


A. 泄漏测试:可选择启用

每次雪崩测试前,在栅极电压设置为0的情况下,用户设置的泄漏电压会被施加到被测件上,读取电流检测器测量值。根据测试仪的设置,可以在雪崩测试前、测试后或测试前后对被测件进行泄漏测试。这不是测量实际漏电电流,而是确定被测件或测试夹具中是否存在短路的简单测试。

测试仪内部的漏电稳压器电压可从2V设置到为被测试装置雪崩测试设置的漏极电压。漏电流大于1mA会被检测为漏电故障。漏电流最大限制为 8mA。


B. 雪崩测试原理

当高速开关和被测件接通时, 漏极电流增加,到达指定的比较点时,高速开关与栅极关断,断开漏极电压电源。关断时,电感中存储的能量会产生较高的电压,迫使被测件(以NMOS为例)进入雪崩状态,电流路径由续流二极管维持。 因此,电感器中存储的所有能量都转移到了被测件上。此时电感上能量即为设定的可控击穿能量,也即NMOS的雪崩能量(EAS)。


C. 测试结果波形

TH530可捕捉被测设备的电压和电流波形,测试仪可将波形保存到测试结果文件中,在显示屏幕上用户最多可查看最近四次的波形数据。

为便于用户查看,测试仪默认同时显示电压电流波形,用户仍可触摸“电压”或“电流”来单独查看对应波形。

▮ 功率半导体的研发与制造

评估半导体器件的雪崩耐量,确保其能承受电路中感性负载关断时产生的高压尖峰,保证出厂质量的可靠性。例如:IGBT 、MOSFET、功率二极管。

▮ 电源设备设计与验证

验证设备在输出短路等异常情况下,功率器件是否能承受因初级电感和大电流引起的雪崩能量而不损坏。例如:开关电源、逆变器等设备的功率器件。

▮ 新能源汽车与工业驱动

确保器件能应对电机启动、堵转等特殊工况下感性负载产生冲击电流和电压尖峰,确保系统安全。例如:电机控制器(如变频器、伺服驱动器)中功率开关器件。

型号

TH530-25100A

TH530-25100B

TH530-25200A

TH530-25200B

雪崩电压

2500V

峰值电流

100A

200A

通道数

1

2

1

2

输出能量限制

1mJ至0.00495*VDD2mJ

 

负载电感范围

0.01mH至159.9mH,其中

0.01mH至10.0mH,步长为0.01mH

0.02mH至159.9mH,步长为0.1mH

电流传感器类型

霍尔传感器

峰值电流范围

0.1-200A,步进为0.1A

漏极电压范围

±(10-150)V(N或P沟道),步进0.1V

额定电压范围

10-2500V,步进为1V

栅极导通电压范围

±(2-28)V(N或P沟道),步进为0.1V

栅极关断电压范围

0至(28V-栅极导通电压),步进为0.1V

泄漏测试(雪崩前、雪崩后)

2至(设定漏极电压-2)V

 

栅极条件

栅极驱动电阻:25Ω

栅极电压精度:(-28V±0.5V)至(28V±0.5V)

栅极脉冲时间小于1ms

交流电压输入

105至125VAC和210至250VAC 50/60 Hz可选

波形捕捉和分析

波形数据可在液晶屏幕上显示

设备类型

N 、P沟道MOSFET 、IGBT、二极管


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